管电子学的发展，促进了半导体技术的发展。

　　从而也加快了半导体探测器的发展。

　　半导体探测器是以半导体材料为探测介质的辐射探测器。

　　最通用的半导体材料是锗和硅。

　　虽然半导体探测器的基本原理和气体电离室相似，但是半导体探测器的应用范围和应用前景，却更为广泛。

　　这一点，就体现为在锗锂、硅锂、高纯锗、金属面垒型等探测器的基础上，所研制出的许多新型的半导体探测器。

　　比如说硅微条、硅漂移室等等。

　　而这些探测器所应用的领域，除了高能物理之外，还有天体物理、工业、安全检测、核医学、X光成像、军事等各个领域。

　　而且，世界各大高能物理实验室，几乎都采用半导体探测器，作为顶点探测器。

　　米国费米实验室的CDF和D0探测器，SLAC的B介子工厂的BaBar实验，CERN这边的LHC大型强子对撞机上的超环面仪器（ATLAS）和紧凑渺子线圈（CMS），以及日国的KEK，德国的HARA、HARB和Zeus等探测器都是如此。

　　并且，CERN的LHC大型强子对撞机，在超环面仪器（ATLAS）和紧凑渺子线圈（CMS）两个探测器上，还采用了硅微条探测器代替漂移室作为径迹测量的径迹室。

　　此外，根据陈舟的了解，丁老先生领导的AMS实验，为寻找在宇宙线中的反物质和暗物质，其探测器核心部分的径迹室，同样采用了多层硅微条探测器。

　　由米国、法国、意大利、日国、瑞典等等国家参加的GLAST实验组，其大面积γ射线太空望远镜的核心部分，也同样是采用了多层硅微条探测器。

　　在这个太空望远镜里，多层硅微条探测器主要用来作为γ→e-+e+的对转换过程的径迹测量望远镜。

　　其总面积，更是超过了80平方米！

　　硅微条探测器的位置分辨率可好于σ=μm！

　　这是任何气体探测器和闪烁探测器，都很难做到的！

　　而这，也是陈舟选择这一课题研究方向的原因之一。

　　【半导体探测器有两个电极，加有一定的偏压。当入射粒子进入半导体探测器的灵敏区时，即产生电子-空穴对。】

　　【在两极加上电压后，电荷载流子就向两极作漂移运动，收集电极上会感应出电荷，从而在外电路形成信号脉冲。】

　　【但在半导体探测器中，入射粒子产生一个电子-空穴对所需消耗的平均能量，为气体电离室产生一个离子对所需消耗的十分之一左右，因此半导体探测器比闪烁计数器和气体电离探测器的能量分辨率要好得多。】

　　看到文献中的这段话，陈舟习惯性的拿笔在草稿纸上点着。

　　事实上，半导体探测器的灵敏区，应是接近理想的半导体材

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